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électron silicium loi de Moore carbone nanotube graphène nanoruban transistor

Du bon usage de l'électron dans les circuits intégrés : nanoélectronique à base de sable ou de carbone

Arnaud Bournel

Institut d'électronique fondamentale, Université Paris-Sud 11

Catherine Simand

Conférence du cycle « Physique-chimie au Printemps 2011 » sur le thème de « L'électron », 13 avril 2011.

21/07/2011

Résumé

Présentation de l'état de l'art concernant l'utilisation du carbone en électronique, sous diverses formes : nanotube, graphène, nanoruban, bicouche.


Une conférence du cycle « Physique au Printemps 2011 » sur le thème de « L'électron », organisée par la Société Française de Physique, la Société Française de Chimie et l'Union des Professeurs de Physique et de Chimie, à l'Institut de Physique Nucléaire de Lyon. Contact : Rodolphe Antoine.

Une conférence d'Arnaud Bournel, chercheur à l'Institut d'électronique fondamentale, Université Paris-Sud 11, présentée le 13 avril 2011.

Résumé :

Depuis les années 70, l'électronique a basé son succès sur le sable, ou plus exactement le silicium qu'on en extrait, en suivant une politique agressive de réduction des dimensions des composants élémentaires, les transistors. Arnaud Bournel montre cependant que cette course effrénée à la miniaturisation trouve actuellement ses limites : contrôler la vie d'un électron dans un nanotransistor lui-même intégré avec un milliard de ses semblables sur une même puce en silicium signifie devoir gérer à l'atome près la structure des composants dans leurs régions les plus critiques. Mais l'entrée en lice de l'électron de Dirac au sein d'un nouveau nanomatériau - le graphène, soit une feuille d'atomes de carbone organisés sous forme hexagonale - ouvre de nouvelles perspectives et pourrait permettre d'aller au delà des limites du silicium.

La conférence :

Pour écouter en ligne la conférence, synchronisée avec les diapositives : « Du bon usage de l'électron dans les circuits intégrés : nanoélectronique à base de sable ou de carbone » (durée : 1 h 19 min).